ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
ИРНAP05133471, Номер госрегистрации0118РК00624
НаименованиеИспользование DFTB метода для моделирования влияния дипольного момента и формы наноразмерных кластеров CdS на электронные переходы в них
Приоритетное направлениеИнформационные, телекоммуникационные и космические технологии, научные исследования в области естественных наук/Научные исследования в области естественных наук
Вид исследованияФундаментальное
ЗаявительРеспубликанское Государственное предприятие на праве хозяйственного ведения "Евразийский Национальный университет имени Л.Н. Гумилева"
Научный руководительАлдонгаров Ануар Акылханович
Балл ГНТЭ30
Общая одобренная сумма21000000
Решение ННС
Ожидаемые результаты
Будут протестированы спектры поглощения, полученные DFTB методом. Малые кластеры (около 50 атомов) будут использованы для проведения полного DFT расчета и полученные результаты будут сравниваться с DFTB расчетами, тем самым проверяя точность DFTB метода.
Будет протестировано влияние варьирования структуры и формы. Для выбранных больших наночастиц (500-1500 атомов остова) будет рассмотрено влияние одного лиганда на электронные и оптические свойства.
Будет рассмотрено влияние размера частиц CdS. Посредством DFTB метода (система большого размера, большой поток расчетов) мы планируем рассмотреть влияние размера наночастиц на взаимосвязь между дипольным моментом и энергиями возбуждения.
Будет оценено влияние электростатического поля на электронные возбуждения.
Будет рассмотрен эффект самогрегирования на электронные переходы. Тестирование влияния самоагрегирования (агрегирование двух идентичных кластеров) кластеров CdS, с целью понижения дипольного момента, на электронные переходы.
Реферат (Абстракт) - 2018 год
Объект исследования, разработки или проектирования
Кластеры сульфида кадмия размером до 1000 атомов.
Цель работы
Определение влияния электростатического поля на электронные спектры кластеров CdS; рассмотрение комплексов органических красителей с кластерами CdS.
Методы исследования
Для исследования использовался метод функционала плотности сильной связи, в частности для расчета электронных спектров использовался метод DFTB.
Полученные результаты и новизна
Были рассчитаны оптимизированные структуры и проведены расчеты электронных спектров кластеров сульфида кадмия методом DFT и DFTB. Были построены альтернативные варианты структур кластеров, для которых проводилась оптимизация структуры и расчет спектров. Оценено влияние размера кластера на спектр поглощения.
Основные конструктивные и технико экономические показатели
Модель кластера CdS
Область применения
химия
Реферат (Абстракт) - 2019 год
Объект исследования, разработки или проектирования
Кластеры сульфида кадмия размером до 1000 атомов.
Цель работы
Рассмотрение корреляции между величиной дипольного момента и формированием локализованных состояний в запрещенной зоне в наноразмерных кластерах CdS.
Методы исследования
Для исследования использовался метод функционала плотности сильной связи, в частности для расчета электронных спектров использовался метод DFTB.
Полученные результаты и новизна
Были рассчитаны оптимизированные структуры и проведены расчеты электронных спектров больших кластеров (около 1000 атомов) сульфида кадмия методом DFTB. Для данных структур было рассмотрено влияние положения дефектов на поверхности по отношению к дипольному моменту на формирование локализованных состояний в запрещенной зоне. Оценено влияние размера кластера на спектр поглощения.
Основные конструктивные и технико экономические показатели
Модель кластера CdS
Область применения
Полученные результаты могут быть использованы для разработки методики получения полупроводниковых квантовых точек с относительно высоким квантовым выходом свечения и в фотоэлектрических преобразователях.
Реферат (Абстракт) - 2020 год
Объект исследования, разработки или проектирования
кластеры сульфида кадмия вюрцитовой структуры
Цель работы
определение влияния электростатического поля на электронные спектры кластеров CdS; рассмотрение эффекта самоагрегирования на электронные спектры наноразмерных кластеров сульфида кадмия
Методы исследования
для исследования использовался метод функционала плотности сильной связи, в частности для расчета оптимизированных структур и электронных спектров использовался метод DFTB
Полученные результаты и новизна
были рассчитаны оптимизированные структуры и проведены расчеты электронных спектров кластеров сульфида кадмия методами DFT и DFTB. Было рассмотрено влияние электростатического поля на электронные переходы и положение граничных молекулярных орбиталей. Наложение внешнего поля производилось против, по направлению и перпендикулярно направления дипольного момента. Также было оценено влияние самоагрегирования вдоль направления дипольного момента на пассивирование кластеров сульфида кадмия
Основные конструктивные и технико экономические показатели
Модель кластера CdS
Область применения
полученные результаты могут быть использованы для разработки методики получения полупроводниковых квантовых точек с относительно высоким квантовым выходом свечения и в фотоэлектрических преобразователях